緩沖/存儲技術

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東芯半導體將于4月15日科創板首發上會，未來或與中芯國際合作開發1xnm閃存

?4月8日，據上交所披露，東芯半導體股份有限公司（以下簡稱“東芯半導體”）將于4月15日科創板首發上會。 ? 資料顯示，東芯半導體作為Fabless芯片企業，聚焦中小容量NAND、NOR、Dram芯片的設...

2021-04-09 標簽：中芯國際東芯科創板 449

【芯聞精選】八寸晶圓廠狂漲價，硅片單價突破 1000 美元創十年新高；中微公司

產業新聞 ? 臻鼎科技控股高端集成電路封裝載板智能制造工廠項目昨日簽約 ? 4月6日，臻鼎科技控股高端集成電路封裝載板智能制造工廠項目簽約儀式在秦皇島經濟技術開發區泰盛商務大廈舉...

2021-04-08 標簽：晶圓物聯網刻蝕 1445

西門子S7-1500存儲卡的選擇和使用

自動化數據位于自動化系統的不同存儲區中。在TIA STEP7 中創建的項目的離線數據位于編程設備的硬盤上。項目的在線數據位于 SIMATIC 存儲卡上的裝載存儲器上。裝載存儲器位于 SIMATIC 存儲卡上...

2021-03-15 標簽：存儲器西門子 SMC 172

【紫光同創國產FPGA教程】【第十二章】SD卡音樂播放例程

WAV文件作為多媒體中使用的聲波文件格式之一，它是以RIFF格式為標準的。RIFF是英文Resource Interchange File Format的縮寫，每個WAV文件的頭四個字節便是“RIFF”，所以本實驗就簡單的以每個扇區的前...

2021-02-19 標簽：fpga 音頻 SD 開發板紫光同創 2290

【紫光同創國產FPGA教程】【第十章】DDR3讀寫測試實驗

本實驗為后續使用DDR3內存的實驗做鋪墊，通過循環讀寫DDR3內存，了解其工作原理和DDR3控制器的寫法，由于DDR3控制復雜，控制器的編寫難度高，這里筆者介紹采用第三方的DDR3 IP控制器情況下的...

2021-02-05 標簽：fpga DDR3 DDR 內存紫光同創 2643

【紫光同創國產FPGA教程】【第八章】SD卡讀寫實驗

SD卡是現在嵌入式設備重要的存儲模塊，內部集成了nand flash控制器，方便了主機的的管理。本實驗主要是練習對sd卡的扇區進行讀寫，通常sd卡都有文件系統，可以按照文件名和目錄路徑來讀寫...

2021-02-05 標簽：fpga 嵌入式 SD卡 SPI 紫光同創 2461

【ZYNQ Ultrascale+ MPSOC FPGA教程】第二十四章PS端SD卡讀寫

FatFs是一個通用的文件系統模塊，用于在小型嵌入式系統中實現FAT文件系統。FatFs的編寫遵循 ANSI C，因此不依賴于硬件平臺。它可以嵌入到便宜的微控制器中，如 8051, PIC, AVR, SH, Z80, H8, ARM等等，...

2021-01-28 標簽：fpga 嵌入式 SD卡 Zynq MPSoC 1705

【ZYNQ Ultrascale+ MPSOC FPGA教程】第八章FPGA片內FIFO讀寫測試實驗

FIFO: First in, First out代表先進的數據先出，后進的數據后出。Xilinx在VIVADO里為我們已經提供了FIFO的IP核, 我們只需通過IP核例化一個FIFO，根據FIFO的讀寫時序來寫入和讀取FIFO中存儲的數據。...

2021-01-22 標簽：fpga Xilinx fifo Zynq MPSoC 1629

【ZYNQ Ultrascale+ MPSOC FPGA教程】第七章FPGA片內ROM測試實驗

既然是ROM，那么我們就必須提前給它準備好數據，然后在FPGA實際運行時，我們直接讀取這些ROM中預存儲好的數據就行。Xilinx FPGA的片內ROM支持初始化數據配置。如下圖所示，我們可以創建一個名...

2021-01-22 標簽：fpga ROM RAM Zynq MPSoC 1341

【ZYNQ Ultrascale+ MPSOC FPGA教程】第六章FPGA片內RAM讀寫測試實驗

RAM是FPGA中常用的基礎模塊，可廣泛用于緩存數據的情況，同樣它也是ROM，FIFO的基礎。本實驗將為大家介紹如何使用FPGA內部的RAM以及程序對該RAM的數據讀寫操作。...

2021-01-22 標簽：fpga ROM RAM Zynq MPSoC 1596

鐵電存儲器在多MCU系統中應用(附fm24c16的作用FM24C16引腳圖及工作程序)

1、鐵電存儲器技術原理、特性及應用美國Ramtron公司鐵電存儲器(FRAM)的核心技術是鐵電晶體材料。這一特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性。鐵電晶體的...

2021-01-13 標簽：單片機 mcu 存儲器 fram 鐵電存儲器 721

PureStorage公司可能成為戴爾或聯想等潛在買家的目標

據外媒Seeking Alpha消息，Betaville上個月曾在PSTG上進行過推測，猜測PureStorage公司可能成為戴爾或聯想等潛在買家的目標之后，Pure Storage股價應聲上漲，漲幅5.2%。 ? 關于PureStorage PureStorage(NYSE:PST...

2021-01-12 標簽：戴爾聯想存儲 1014

可穿戴設備等物聯網應用案例介紹旺宏之低功耗NOR FLASH

物聯網應用旺宏之低功耗NOR FLASH ? 得益于汽車電子、物聯網、5G、智能手機及其周邊（如TWS耳機、可穿戴式設備）等需求的推動，近一兩年，NOR Flash市場得到了飛速增長。詳細應用如下：汽車...

2021-01-12 標簽：FlaSh 5G NOR flash 可穿戴設備 TWS 426

華為設立2021全球數據存儲OlympusMons獎

2020年12月31日，在中國東莞2020年全球存儲教授論壇上，來自華為，中國工程院以及國內外頂級大學和研究所的一百多位存儲專家見證了這一消息。華為宣布了2021年OlympusMons獎，并邀請全球科學...

2021-01-06 標簽：華為存儲算法數字化華為存儲 386

半導體輪漲得一微電子嵌入式存儲控制芯片漲價50%

受上游晶圓代工產能緊缺問題的持續影響，自去年四季度以來，很多半導體芯片都出現了一波價格上漲。特別是在去年12月，不少芯片廠商都宣布旗下的產品價格將于1月1日起正式上調。比如，...

2021-01-06 標簽：半導體嵌入式存儲內存得一微電子 454

中科曙光基于區塊鏈存儲應用的智能高效的專屬存儲系統—區塊鏈存儲系統Ch

近日，中科曙光在北京發布了基于區塊鏈存儲應用打造的一款智能高效的專屬存儲系統——區塊鏈存儲系統ChainStor。ChainStor沿用了曙光多年技術積累的分布式存儲架構，底層核心是基于裸設備的...

2020-12-31 標簽：存儲存儲系統中科曙光區塊鏈 2732

國產內存加速 DRAM廠商長鑫存儲完成156億元融資

? DRAM廠商長鑫存儲完成156億元融資，內存芯片的國產替代之路又獲資金助力。12月14日，工商信息顯示，大基金二期、安徽國資、兆易創新及另一家朱一明實控企業、小米長江產業基金等機構入...

2020-12-25 標簽：DRAM 內存存儲芯片 SK海力士長鑫存儲 1460

閃存可降低MCU系統功耗？

備的設計越來越多地采用片上嵌入式內存容量有限的微控制器，或者干脆完全避開閃存。原因之一是，盡管可以嵌入所需的任意大小容量的內存，但是為了實現更高性能而逐漸縮小尺寸這個自然...

2020-12-23 標簽：微控制器 mcu 閃存存儲 IIoT 1240

兆易創新為嵌入式產品提供豐富的存儲解決方案

雖然此前在DRAM內存芯片布局上，兆易創新主要是通過其與合肥市產業投資控股集團合作的長鑫存儲來進行布局。但是，兆易創新的自研DRAM項目也早已開始。...

2020-11-03 標簽：芯片嵌入式存儲 RRAM 兆易創新 1979

ASIC設計方案提供商燦芯半導體為NVDIMM OEM提供控制器芯片方案

此前，國際領先的定制化芯片（ASIC）設計方案提供商及DDR控制器和物理層IP供應商燦芯半導體（上海）有限公司（以下簡稱燦芯半導體）對外宣布為一家著名的NVDIMM供應商提供完整的NVDIMM控制器...

2020-10-28 標簽：asic 存儲器 DDR 燦芯半導體 444

高帶寬內存突破4Gbps！Rambus獨家內存接口方案發力AI和HPC市場

“在人工智能領域，對帶寬需要上升到1.0Gbps需求，Rambus HBM2E的性能正式提高到4.0 Gbps每秒，4.0 Gbps是全新的行業標桿，我們一個開發過程中的合作伙伴就是SK海力士，我們提供的HBM2E內存達到了...

2020-10-23 標簽：臺積電 Rambus HBM GDDR6 3697

兆易創新推出全國產化24nm SPI NAND Flash

兆易創新今日正式推出全國產化24nm工藝節點的4Gb SPI NANDFlash產品GD5F4GM5系列。該系列產品實現了從設計研發、生產制造到封裝測試所有環節的純國產化和自主化，并已成功量產，標志著國內SLC...

2020-10-15 標簽：Nand 兆易創新 4435

紫光集團DRAM事業群執行副總裁高啟全退休坂本幸雄接收紫光DRAM布局

紫光集團全球執行副總裁高啟全在2020年9月30日正式退休，未來紫光集團的DRAM事業布局將由前爾必達社長、現任紫光高級副總的坂本幸雄接手。...

2020-10-02 標簽：DRAM 爾必達 3D NAND 紫光 4623

禁令影響三星電子和SK海力士將在9月15日停止向華為出售芯片

最新消息，據韓媒報道，由于美國禁令，三星電子和SK海力士將從下周二（9月15日）開始停止向華為出售芯片！雖然三星和SK海力士是韓企，但問題在于，美方禁令要求非美國公司不能向華為出...

2020-09-11 標簽：中芯國際三星電子華為存儲 SK海力士 2533

大數據需要多層存儲策略西部數據先進技術賦能應對冷數據存儲

我們的世界正在快速、全面的進入數字化，數據的爆發態勢已經持續數年并仍將持續。根據IDC的預測，到2025年，由用戶產生的、IoT設備捕獲的以及數據中心創建并復制的數據總量，將會達到1...

2020-09-04 標簽：數據存儲數據中心固態硬盤西部數據 1789

長鑫存儲今年年底產能可達12萬片

長鑫存儲今年年底產能可達12萬片，預計將超越南亞科技，屆時市占率將僅次于三大巨頭。此外，長鑫 17nm工藝即將出世，明年可實現大規模量產。報道稱，長鑫存儲 19nm DRAM 工藝已于 2020 年上...

2020-09-03 標簽：DRAM 存儲長鑫存儲 2607

曙光云存儲產品通過耦合方式組成海量存儲資源池助力國網通航開創數字化運營

隨著國家大力推動數字經濟新基建的發展，國內各大行業紛紛開啟數字化轉型行動。近日，曙光存儲中標國網通航，硬核支撐智慧國網通航系統建設。將現代科技融入通航公司全產業鏈，實現數...

2020-09-01 標簽：存儲云存儲中科曙光 1533

蠶絲硬盤聽說過嗎？生物技術和半導體融合的新型存儲方式

這種存儲技術以生物兼容性良好、易于摻雜功能化、降解速率可控的天然蠶絲蛋白作為信息存儲介質，近場紅外納米光刻技術作為數字信息寫入方式。...

2020-08-13 標簽：硬盤存儲大數據 3492

存儲芯片商普冉股份沖刺科創板 NOR Flash爆發式增長

科創板芯版圖或再添一位新軍。近日，上交所受理了普冉半導體（上海）股份有限公司（以下稱普冉股份）的科創板申請。普冉股份主營業務為非易失性存儲器芯片的設計與銷售，此次公司擬...

2020-08-13 標簽：閃存 NAND EEPROM 兆易創新科創板 712

上交所受理非易失性存儲器芯片企業上海普冉科創板IPO申請

8月3日，上交所正式受理了普冉半導體（上海）股份有限公司（以下簡稱普冉股份）的科創板上市申請。招股書顯示，普冉股份的主營業務是非易失性存儲器芯片的設計與銷售，目前主要產品包...

2020-08-06 標簽：半導體存儲器指紋識別科創板 2127

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